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我国科学家开创第三类存储技术

2018-04-11 17:02:02|来源:新华网|编辑:于苏燕 |责编:韩东林

  近日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。北京时间4月10日,相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。

4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队在实验室内合影。 新华社记者 丁汀摄

4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“定义图形”。 新华社记者 丁汀摄

4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内将硅片放入仪器。新华社记者 丁汀摄

4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内将清洗好的硅片放入容器内。新华社记者 丁汀摄

4月11日,复旦大学微电子学院教授周鹏教授在硅片上生长金属电极。新华社记者 丁汀摄

4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行切割。新华社记者 丁汀摄

4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“定义图形”。新华社记者 丁汀摄

4月11日,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内清洗硅片(拼版照片)。新华社记者 丁汀摄

 

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